FIB (Focused Ion Beam) 聚焦離子束技術(shù)為芯片研發(fā)和芯片制造過程提供了至關(guān)重要的輔助支撐。它的基本原理是：靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經(jīng)高壓電場(chǎng)加速后撞擊試片表面，在特定氣體協(xié)作下產(chǎn)生圖像并移除或沉淀（連接）物質(zhì)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于掩模修正、電路修改和失效分析。百靈威從美國(guó)STREM 公司引進(jìn)FIB 深層微沉積高純有機(jī)金屬源，品種多，包裝全，可滿足客戶的各種需求。
■ 產(chǎn)品列表
| 產(chǎn)品編號(hào) |
金屬沉積物 |
產(chǎn)品名稱 |
包裝 |
| 78-1350 |
Pt |
（三甲基）甲基環(huán)戊二烯基鉑(IV)
(Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99% |
2 g
5 g |
| 98-4024 |
Pt |
(Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%, 78-1350, contained in 50 mL
Swagelok® cylinder for CVD/ALD |
10 g |
| 74-2202 |
W |
六羰基鎢
Tungsten carbonyl, 99% (99.9+%-W) sublimed |
5 g
25 g |
| 98-4036 |
SiO2 |
3-Aminopropyltriethoxysilane, 98%, 93-1402, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD |
25 g |
| 79-1600 |
Au |
二甲基（三氟乙酰丙酮）金(II)
Dimethyl(trifluoroacetylacetonate)gold(III), 98%(99.9%-Au) |
500 mg
2 g |
| 29-2928 |
Cu |
雙（六氟乙酰丙酮）合銅(II)
Copper(II) hexafluoroacetylacetonate, anhydrous, elec. gr. (99.99+%-Cu) PURATREM |
1 g
5 g |
■ 配套刻蝕氣體
| 產(chǎn)品編號(hào) |
產(chǎn)品名稱 |
包裝 |
| 54-1500 |
二氟化氙 Xenon(II) fluoride, 99.5% |
2 g
10 g |
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